1. NST3904DP6T5G
  2. NST3904DP6T5G
  3. NST3904DP6T5G
  4. NST3904DP6T5G
  5. NST3904DP6T5G

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NST3904DP6T5G 

产品描述

Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SOT-963 T/R

内部编号

277-NST3904DP6T5G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:3616
1+¥2.8718
10+¥1.8735
100+¥0.8
1000+¥0.6154
2500+¥0.465
8000+¥0.4171
24000+¥0.3897
48000+¥0.3419
96000+¥0.335
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

#2

数量:8518
1+¥3.0734
10+¥2.2981
100+¥1.3006
500+¥0.8613
1000+¥0.6602
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#3

数量:5000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NST3904DP6T5G产品详细规格

规格书 NST3904DP6T5G datasheet 规格书
NST3904DP6T5G datasheet 规格书
NST3904DP6T5G
文档 Wire Bond 01/Dec/2010
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Wire Bond Change 01/Dec/2010
标准包装 8,000
晶体管类型 2 NPN (Dual)
- 集电极电流(Ic)(最大) 200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 10mA, 1V
功率 - 最大 350mW
频率转换 200MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 SOT-963
供应商器件封装 SOT-963
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 6SOT-963
类型 NPN|PNP
引脚数 6
最大集电极发射极电压 40 V
集电极最大直流电流 0.2 A
最小直流电流增益 40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V
最大工作频率 200(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.2@1mA@10mA|0.3@5mA@50mA V
最大集电极基极电压 60 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 420 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 0.2
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SC-89
最低工作温度 -55
最大功率耗散 420
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 200(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 2
最大集电极基极电压 60
供应商封装形式 SOT-963
最大集电极发射极电压 40
电流 - 集电极( Ic)(最大) 200mA
晶体管类型 2 NPN (Dual)
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 200MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
供应商设备封装 SOT-963
功率 - 最大 350mW
封装/外壳 SOT-963
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 10mA, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 NST3904DP6T5GOSCT
工厂包装数量 8000
增益带宽产品fT 200 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN/PNP
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
直流集电极/增益hfe最小值 40 at 0.1 mA at 1 V, 70 at 1 mA at 1 V, 100 at 10 mA at 1 V, 60 at 50 mA at 1 V, 30 at 100 mA at 1 V
直流电流增益hFE最大值 40 at 0.1 mA at 1 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 40 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 60 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Dual
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 0.2 A
集电极 - 基极电压 60 V
集电极 - 发射极电压 40 V
发射极 - 基极电压 6 V
频率 200 MHz
功率耗散 0.42 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-963
元件数 2
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 0.2 A
直流电流增益 40
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :40V
Transition Frequency ft :200MHz
功耗 :350mW
DC Collector Current :200mA
DC Current Gain hFE :30
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-963
No. of Pins :6
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
Weight (kg) 0.000027
Tariff No. 85412100

NST3904DP6T5G系列产品

NST3904DP6T5G相关搜索

订购NST3904DP6T5G.产品描述:Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SOT-963 T/R. 生产商: on semiconductor.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-57196138
    010-82149488
    010-82149921
    010-62155488
    010-82149008
  • 深圳
  • 0755-83975736
    0755-82511472
    0755-83997440
    0755-83247615
  • 苏州
  • 0512-68796728
    0512-67684200
    0512-67687578
    0512-67683728
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com